RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3942
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link