RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3942
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link