RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
46
Autour de -84% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3933
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link