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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
46
Autour de -109% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
22
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3665
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
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