RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3665
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link