RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
65
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
1,574.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,858.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,574.4
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
607
2682
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Crucial Technology ST25664BA1339.8FMR 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link