RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
46
Autour de -109% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.5
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
22
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
17.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
4014
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link