RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
46
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
17.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
4014
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link