RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
46
Autour de -92% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
24
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3092
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link