RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
46
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
24
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
11.6
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3092
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link