RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
46
Autour de -24% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
37
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2848
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link