RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
46
Autour de -39% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2664
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link