RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2664
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link