RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
46
Autour de -28% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
36
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3256
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link