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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
94
Autour de -224% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
29
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
3273
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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