RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
比較する
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
総合得点
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
94
周辺 -224% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.9
1,165.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
94
29
読み出し速度、GB/s
1,882.0
16.7
書き込み速度、GB/秒
1,165.4
12.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
305
3273
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link