RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
46
Autour de -70% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2436
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link