RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
46
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
27
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
8.5
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2436
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link