RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
46
Autour de -24% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
3200
Autour de 8 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
37
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
25600
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3355
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link