RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
33
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
33
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2562
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link