RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
57
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.4
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
57
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2170
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link