Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Note globale
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Note globale
star star star star star
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    46 left arrow 54
    Autour de 15% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    2 left arrow 15.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    11.6 left arrow 1,519.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 3200
    Autour de 8 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    46 left arrow 54
  • Vitesse de lecture, GB/s
    2,909.8 left arrow 15.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,519.2 left arrow 11.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    3200 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    241 left arrow 2511
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons