Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

46 54

Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения

2 15.7

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

11.6 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 3200

Около 8 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 54
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 15.7
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 25600

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 2511

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB

модули RAM

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Kingston KHX2666C13/16GX 16GB

Kingston KHX2666C13/16GX 16GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB

Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB

модули RAM

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB

Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB

Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB

модули RAM