RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
46
Autour de -77% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
26
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2633
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link