RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
46
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2633
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link