RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
104
Около -181% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
21.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3448
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
UMAX Technology 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link