RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
22
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
17.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
104
Около -512% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
17
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
22.0
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3731
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link