RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
104
Wokół strony -512% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3731
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link