Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB против Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 66
    Около 64% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.5 left arrow 6.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.8 left arrow 3.8
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 66
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.5 left arrow 6.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.8 left arrow 3.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2444 left arrow 1055
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения