Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB vs Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB vs Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

24 66

En 64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.5 6.6

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.8 3.8

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2444 1055

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns