Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB vs Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB vs Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 66

Intorno 64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.5 6.6

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.8 3.8

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2444 1055

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns