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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB vs Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Pontuação geral
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
66
Por volta de 64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
6.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
3.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
24
66
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
6.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
3.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2444
1055
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
AMD AE34G1339U2 4GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB Comparações de RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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