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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB vs Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Note globale
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
66
Autour de 64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
3.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
24
66
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
6.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.8
3.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2444
1055
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB Comparaison des RAM
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Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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