Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB vs Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    24 left arrow 66
    Wokół strony 64% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.5 left arrow 6.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.8 left arrow 3.8
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    24 left arrow 66
  • Prędkość odczytu, GB/s
    15.5 left arrow 6.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.8 left arrow 3.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2444 left arrow 1055
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania