RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
21.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
104
Autour de -181% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3448
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link