RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
46
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2575
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link