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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
46
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
23
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
11.7
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2575
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
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