RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
46
Autour de -142% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.0
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
19
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
18.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3543
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link