RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
46
Por volta de -142% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.0
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
19
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
19.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
18.0
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3543
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link