RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
46
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2790
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link