RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2790
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link