RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,451.8
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
65
Autour de -91% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,605.9
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,451.8
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
878
3465
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link