RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
65
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
3465
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link