RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Note globale
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
65
Autour de -195% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
2,451.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,605.9
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,451.8
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
878
2611
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link