RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
65
Около -195% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
2,451.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,605.9
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,451.8
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
2611
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link