RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
51
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
51
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
10.3
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2570
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link