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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
51
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
12.5
Speicherbandbreite, mbps
17000
25600
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
2570
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