RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
77
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3111
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link