RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
37
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2854
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link