RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
37
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2854
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link