RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
50
Около -150% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
18.8
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3162
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link